17日，中核集团中国原子能科学研究院发布消息，该院自主研发的国内首台串列式高能氢离子注入机（POWER|750H）成功达成稳定出束，重点性能指标达到国际相同种类设施的先进水平。
17日，中核集团中国原子能科学研究院发布消息，该院自主研发的国内首台串列式高能氢离子注入机（POWER|750H）成功达成稳定出束，重点性能指标达到国际相同种类设施的先进水平。
这一重大突破表明，国内已完全学会串列式高能氢离子注入机的全链路核心技术，突破了功率半导体制造工艺中的重点瓶颈，不只填补了国内该范围的技术空白，更为提高高档装备自主化水平、保障产业链安全稳定提供了强有力的支撑。
中国原子能科学研究院基于在核物理加速器范围长期的技术积淀，使用串列加速器重点技术作为突破口，成功攻克了多项技术瓶颈，全方位学会了串列式高能氢离子注入机从基础理论到系统集成的自主革新能力。这一突破彻底扭转了国内在该装备范围长期受制于人的局面，有效解决了制约国内半导体产业升级的重点技术弱点。
作为集成电路制造的"四大重点设施"之一，离子注入机与光刻系统、蚀刻设施、薄膜成长装置一同构成了芯片生产的核心装备体系，是半导体工业必不可少的基础性设施。尤其是在高能氢离子注入机范围，国内过去完全依赖国际采购，因其极高的技术门槛和复杂的研发困难程度，一直是妨碍国内重点技术突破的要紧瓶颈。
这项成就不只显著增强了国内在功率半导体等策略范围的自主可控能力，更为推进达成碳中和目的、培育新型生产力提供了关键的技术保障。
