最新资讯NAND芯片紧急供过于求，有厂家开始减产

依据集邦咨询 TrendForce 发布的最新研报，因为某些消费电子商品的需要减弱，内存价格从 2021 年第四季度开始不断降低。除此之外还遭到其他多方面的原因：通胀上升、俄乌战争、疫情政策等影响，旺季需要疲软等等，因此这类销售重压从买方延伸至厂家。

针对上述状况，美光上周宣布将减产 DRAM 和 NAND Flash，成为首家正式减少产能借助率计划的主要内存厂家。铠侠也紧随美光宣布，自 10 月起将 NAND Flash 产能借助率减少 30%。

在 NAND Flash 方面，美光原本计划从 22 年 4 季度开始逐步提升 232 层商品的比率。不过伴随公司减产决定的落实，预计 2023 年美光的主流制程仍以 176 层商品为主，而传统制程的晶圆开工率也会降低。

与 NAND Flash 相比，会不会出现大幅减产还有待察看。除去提到现在该范围产能借助率略有降低外，美光主要强调其对 2023 年资本支出的大幅下调，明年 DRAM 生产位元的年增长率仅为 5% 左右。

铠侠和 WDC 原计划从 22 年第 4 季度开始迁移到 162 层商品，但 WDC 在 2023 年放缓了资本支出。在资金很难获得且需要可见性不佳的状况下，162 层商品的比率将大幅降低，公司原计划 2023 年替代主流 112 层商品将没办法达成。

2023 年内存市场供需状况来看，因为需要前景守旧，DRAM 和 NAND Flash 各季度均出现紧急供过于求，明年上半年库存重压将继续加速。